性能特点

1.DUT类型： SiC MOSFET& IGBT

2.封装类型：单管 TO 247系列、不同封装功率模块、功3.率模组（stack）

4.全系列最低杂感—— 回路杂感 6nH

测data sheet首选

功率模块测试参数：

1.测试项目：单脉冲测试、双脉冲测试、短路测试

2.双脉冲电流等级：4000A

3.测试最高电压：2000V

4.短路最大耐受电流：10000A

5.功率模块测试条件：
Vdc: 50~2000V, ld: 5~4000A, Lload: 10/20/50/100/200uH驱动电压范围：最高电压+20V， 最低电压-15V（正负压差不超过30V）

单管测试参数：

1.测试项目：双脉冲测试、短路测试

2.双脉冲电流等级：1000A

3.测试最高电压：1500V

4.短路最大耐受电流：3000A

5.单管测试条件：
Vdc: 50~1500V, ld: 5~1000A, Lload: 300uH 支持自定义驱动电压范围：最高电压+20V， 最低电压-15V（正负压差不超过30V）